一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽平面栅MOSFET器件，包括在n+硅衬底层上面连接有n-外延层，n-外延层的上方设置有平面栅极G，平面栅极G的两侧的外延层上各设置有一个p基区，每个p基区内设置有n+源区，在表面处n+源区与p区短路形成源极S，其特征在于，在两个p基区之间，并且沿n-外延层上端中间部位开有沟槽，沟槽内部填充有多晶硅栅，该部分多晶硅栅与n-外延层之间填充有栅氧化层，该部分栅氧化层和多晶硅栅分别与n-外延层上方平面部分的栅氧化层和多晶硅栅连为一体。该沟槽平面栅MOSFET结构提高了器件的击穿电压，降低了导通电阻，且开关损耗保持不变；器件设计与制造的自由度增加。该沟槽平面栅MOSFET器件的制作工艺成本低，并与现有的VDMOS工艺完全兼容。

主权项

一种沟槽平面栅MOSFET器件，包括作为漏极D的n+硅衬底层，在n+硅衬底层的上面连接有n 外延层，n 外延层的上方中间设置有平面栅极G，平面栅极G的两侧的n 外延层上各设置有一个p基区，每个p基区内设置有n+源区，在表面处n+源区与p基区短路形成源极S，其特征在于，在两个p基区之间，并且沿n 外延层上端中间部位开有沟槽，所述沟槽深度小于p基区的深度，沟槽宽度小于p基区之间的间距，沟槽内部填充有多晶硅栅，所述多晶硅栅与n 外延层之间填充有栅氧化层，所述栅氧化层和所述多晶硅栅形成沟槽型的栅极结构，并与n 外延层上方的所述平面栅极G连为一体。