一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器

摘要

本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器。本发明通过在读电路模块和位线之间增加用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管，消除电路在读电路模块中由于工艺波动性等因素带来的读操作电压漂移，稳定读过程中位线上电压，结构相对简单，同时不需要明显增加芯片面积。

主权项

一种电阻转换存储器，包括存储器阵列、行译码器、列选通管、用于控制所述列选通管的第一端和第二端之间是否导通的列译码器、读电路模块和写电路模块，所述列选通管的第一端连接于存储器阵列，写电路模块的输出信号输入至所述列选通管的第二端，其特征在于，所述电阻转换存储器还包括用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管，该NMOS晶体管的漏端连接于所述列选通管的第二端，该NMOS晶体管的源端连接于所述读电路模块的输出信号端。