| 发明名称 | 键合垫及其制造方法以及键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及键合垫及其制造方法以及键合方法。其中，键合垫包括半导体衬底上的钝化层和垫金属层，所述垫金属层与钝化层之间还有支撑金属层。另外，支撑金属层同时也用于重排布线，而垫金属层与支撑金属层之间还有一层扩散阻挡层。与现有技术相比，本发明由于在钝化层和垫金属层之间引入了支撑金属层，从而克服了现有技术中键合垫中的钝化层比较柔软所造成的打线封装失效或打线封装质量下降的问题。也避免将垫金属层的材质更换为昂贵的金属所带来的成本增加的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101908517A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200910052644.4 | 申请日期 | 2009.06.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;矽成积体电路股份有限公司 | 发明人 | 江卢山;梅娜;章国伟;吴明峰 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘诚午;李丽 |
| 主权项 | 半导体芯片的键合垫，包括半导体衬底上的钝化层和垫金属层，其特征在于：所述垫金属层与钝化层之间还设有支撑金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||