发明名称 | 激光硫族化物相变装置及方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种供在集成电路中使用的激光激活相变装置,其包括硫族化物熔丝,所述硫族化物熔丝经配置以连接第一经图案化金属线与第二经图案化金属线且定位于层间电介质与过熔丝电介质之间。所述熔丝使在衬底上制造的有源半导体元件互连。一种用于激活所述激光激活相变装置的方法包含:基于所述熔丝的特性选择激光的激光条件;及通过直接光子吸收用所述激光编程所述熔丝的相变直到满足阈值转变温度为止。 | ||
申请公布号 | CN101911283A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
申请号 | CN200880124339.5 | 申请日期 | 2008.12.31 |
申请人 | 电子科学工业有限公司 | 发明人 | 安迪·E·胡珀;艾伦·川崎;罗伯特·海恩赛 |
分类号 | H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
主权项 | 一种供在集成电路中使用的激光激活相变装置,所述装置包括:硫族化物熔丝,其配置于半导体装置中连接在金属沉积层内的经图案化金属线之间且定位于层间电介质与过熔丝电介质之间,其中所述熔丝使在衬底上制造的有源半导体元件互连。 | ||
地址 | 美国俄勒冈州 |