| 发明名称 | 非易失性半导体存储装置和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供非易失性半导体存储装置和其制造方法。在该非易失性半导体存储装置中，包含第一存储器配线(12)的第一配线层(19)，利用贯通第一层间绝缘层(13)而形成的第一接触部(21)，与包含第二存储器配线(17)的第二配线层(20)连接。进一步，利用与该第二配线层(20)连接、贯通第二层间绝缘层(18)而形成的第二接触部(26)，与上层配线(22)连接并引出。这里，第一接触部(21)贯通第二配线层(20)的半导体层(17b)或绝缘体层(17c)而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101911295A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200880122873.2 | 申请日期 | 2008.12.26 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 三河巧;川岛良男;宫永良子 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种非易失性半导体存储装置，包括：基板；包含形成在所述基板上的具有条纹形状的第一存储器配线的第一配线层；形成在所述基板上和所述第一配线层上的第一层间绝缘层；在所述第一存储器配线上的所述第一层间绝缘层形成的第一存储器单元孔；经由所述第一存储器单元孔与所述第一存储器配线连接的第一电阻变化层；形成在所述第一电阻变化层上的第一非欧姆性元件；形成在所述第一层间绝缘层上，并且与所述第一存储器配线正交，且具有条纹形状的第二存储器配线；包含所述第二存储器配线的第二配线层；和在所述第二配线层上和所述第一层间绝缘层上形成的第二层间绝缘层，所述第二配线层由包含所述第一非欧姆性元件的至少一部分的多层构成，在所述第二配线层的最下层具有半导体层或绝缘体层，所述非易失性半导体存储装置的特征在于：所述第一存储器配线，通过贯通所述第一层间绝缘层而形成的第一接触部与所述第二配线层连接，所述第一接触部通过将所述第二配线层的所述半导体层或绝缘体层除去而形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||