发明名称 高磁导率低损耗因数锰锌铁氧体材料及其制造工艺
摘要 本发明公开了一种高磁导率低损耗因数锰锌铁氧体材料及其制造工艺,主要是由以按照摩尔百分比(以氧化物计算)为51~56mol%的Fe2O3、22~29mol%的MnO、20~25mol%的ZnO组成的主要成分和P2O5、CaO、SiO2、Bi2O3等辅助成分经过混料、预烧、砂磨、造粒、成型、烧结的工艺步骤制备出既具有高磁导率又具有低磁导率温度因数和低相对损耗因数的锰锌铁氧体材料。本发明配方简单合适,制造工艺先进合理,制备得到的锰锌铁氧体材料性能超过CL11F牌号性能,亦高于日本TDK公司的H5C2牌号材料性能。
申请公布号 CN101905970A 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN201010242288.5 申请日期 2010.08.02
申请人 天长市昭田磁电科技有限公司 发明人 刘先松;徐杰;胡锋;如
分类号 C04B35/26(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/26(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 陈慧珍
主权项 一种高磁导率低损耗因数锰锌铁氧体材料,其特征在于:包括主要成分和辅助成分,所述主要成分按照摩尔百分比(以氧化物计算)由以下组分配比而成:Fe2O351~56mol%、MnO22~29mol%、ZnO20~25mol%;所述辅助成分的含量按照质量百分比为主要成分的0.001~0.25wt%,其是以下成分中一种或者几种的任意组合:P2O5 0.001~0.005wt%、CaO 0.01~0.05wt%、SiO2 0.005~0.02wt%、Bi2O3 0.005~0.05wt%、MoO3 0.002~0.02wt%、Nb2O5 0.005~0.02wt%、Ta2O5 0.01~0.05wt%、ZrO2 0.01~0.05wt%。
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