| 发明名称 | 永磁场直拉硅单晶的工艺及附属设备 | ||
| 摘要 | 本发明使用钕铁硼永磁体向熔体空间引入磁场，用以抑制硅熔体热对流。同时，磁场拉晶还可以控制硅单晶的氧浓度及均匀性，改善晶体电阻率均匀性，提高非平衡少数载流子寿命，并且由于硅熔体平稳安静，便于拉晶操作，成品率可提高5％左右。 | ||
| 申请公布号 | CN101906658A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200910176611.0 | 申请日期 | 2009.09.24 |
| 申请人 | 天津希力斯新能源技术研发有限公司 | 发明人 | 徐岳生;王海云;刘彩池;顾励生;李幼斌;王继炎;郎益谦 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B30/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种直拉硅单晶的工艺，其特征在于向熔体空间引入可变磁感应强度的磁场。 | ||
| 地址 | 300410 天津市天津空港物流加工区外环北路1号2-B114室 | ||