低频模拟电路

摘要

本发明涉及一种低频模拟电路。由于本发明使电路中部分的金属氧化物半导体晶体管偏压在弱反转区，因此可达到高功率效率与低噪声的效果。

主权项

一种低频模拟电路，包括：阻抗转换级，用以接收输入信号，并将该输入信号由高阻抗传递至低阻抗，以形成阻抗转换信号；以及放大器电路，用以接收并放大该阻抗转换信号，其中该放大器电路中至少有一MOS晶体管操作于弱反转区，其中该阻抗转换级包括：第一PMOS晶体管，其源极与栅极接收该输入信号，而其漏极耦接接地电压；第二PMOS晶体管，其源极耦接电源电压，且该第二PMOS晶体管的栅极接收第一偏压；以及第三PMOS晶体管，其漏极耦接该接地电压，而该第三PMOS晶体管的栅极耦接该第一PMOS晶体管的源极，该第三PMOS晶体管的源极耦接该第二PMOS晶体管的漏极，并输出该阻抗转换信号。