| 发明名称 | 制造快闪存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了制造快闪存储器件的方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成第一绝缘层和第一导电层；蚀刻所述第一导电层、第一绝缘层和半导体衬底以形成沟槽；在其上形成有沟槽的区域上形成隔离层；形成第二导电层以使得所述第二导电层和第一导电层接触；和除去形成在所述隔离层上的第二导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101261959B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200710302249.8 | 申请日期 | 2007.12.24 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李正九;赵挥元;明成桓;金奭中 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种制造快闪存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一绝缘层、第一导电层和蚀刻停止层；蚀刻所述蚀刻停止层、所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述半导体衬底的一部分以在所述半导体衬底中形成沟槽；在形成所述沟槽之后所得的结构上形成隔离层；实施化学机械抛光以暴露出剩余的蚀刻停止层；除去所述剩余的蚀刻停止层，由此暴露出剩余的第一导电层；在所述第一导电层和所述隔离层上形成第二导电层；和通过蚀刻形成在所述隔离层上的所述第二导电层来图案化所述第二导电层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||