发明名称 |
掩模的布局方法、半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
提供一种掩模的布局方法,以及利用根据题述掩模的布局方法所产生的掩模的半导体器件及其制造方法。该半导体器件可包括:微透镜主图案,位于衬底上;以及微透镜虚设图案,处在所述微透镜主图案的一侧。利用题述掩模的布局方法产生的掩模可以形成多个微透镜虚设图案。根据题述掩模的布局方法的实施例,可通过形成基底虚设图案并且从该基底虚设图案去除边缘区域产生微透镜虚设图案。可将微透镜虚设图案产生为具有大体圆形形状。在一个实施例中,该大体圆形形状为八边形。 |
申请公布号 |
CN101304026B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200810097074.6 |
申请日期 |
2008.05.12 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
李相熙;曹甲焕 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,包括:在衬底上形成微透镜主图案;以及在所述衬底上所述微透镜主图案的一侧形成微透镜虚设图案;其中所述微透镜虚设图案包括八边形形状;其中形成所述微透镜虚设图案包括:在未形成所述微透镜主图案的所述区域中形成基底虚设图案;以及从所述基底虚设图案去除边缘区域,以形成所述微透镜虚设图案;其中从所述基底虚设图案去除所述边缘区域包括:限定所述基底虚设图案的所述边缘区域;以及利用软件布局工具从所述基底虚设图案去除所述边缘区域;其中所述基底虚设图案为规则的正方形形状;其中所述边缘区域具有等腰直角三角形形状。 |
地址 |
韩国首尔 |