半导体加工工艺控制方法

摘要

本发明公开了一种半导体加工工艺控制方法，在半导体刻蚀、沉积等加工工艺中，首先，确定加工工艺中的射频偏压或其它的工艺参数与加工速率的关系；然后，检测加工工艺过程中的工艺参数，并根据所述的工艺参数及其与加工速率的关系确定加工速率；再根据加工速率与加工时间的乘积得到加工的厚度，当加工的厚度大于等于预定值时，停止该加工工艺。可以根据工艺参数的变化实时的得出加工速率，进而准确的确定加工的厚度，对半导体加工工艺进行精确的控制。

主权项

一种半导体加工工艺控制方法，其特征在于，在半导体加工工艺中，根据加工速率与加工时间的乘积得到加工的厚度，当加工的厚度大于等于预定值时，停止该加工工艺；所述的加工速率由以下方法得到：首先，确定加工工艺中的工艺参数与加工速率的关系；然后，检测加工工艺过程中的工艺参数，并根据所述的工艺参数及其与加工速率的关系确定加工速率；所述的工艺参数与加工速率的关系通过试验得到；所述检测加工过程中的工艺参数时，对整个工艺过程中的工艺参数进行实时的检测；所述的工艺参数包括以下至少一个参数：射频偏压、等离子体的电压、等离子体的电流、等离子体的阻抗。