发明名称 有机场致发光器件
摘要 本发明公开了一种有机场致发光器件,包含一对电极和位于该电极对之间的有机发光介质层,其中有机发光介质层包含混合层,该混合层包含(A)至少一种选自空穴传输化合物的化合物和(B)至少一种选自电子传输化合物的化合物,表示为Eg1的空穴传输化合物的能隙和表示为Eg2的电子传输化合物的能隙满足关系:Eg1<Eg2。电子和空穴在有机发光介质层中再复合并发出光。该有机场致发光器件具有长寿命并高效发光。
申请公布号 CN101425564B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200810173356.X 申请日期 2001.12.10
申请人 出光兴产株式会社 发明人 荒金崇士;福冈贤一;细川地潮
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 宁家成
主权项 一种有机场致发光器件,包含一对电极和位于该电极对之间的有机发光介质层,其中有机发光介质层包含混合层,该混合层包含组分A:至少一种选自空穴传输化合物的化合物,和组分B:至少一种选自电子传输化合物的化合物,两者的量使得组分A的重量与组分B的重量的比率是8∶92 92∶8,且表示为Eg1的空穴传输化合物的能隙和表示为Eg2的电子传输化合物的能隙满足如下关系:Eg1<Eg2,并且其中电子传输化合物表示为以下通式(5):A1 L A2 (5)其中A1和A2各自独立地表示取代的或未取代的单苯基蒽基或取代的或未取代的二苯基蒽基,并表示相同的基团或不同的基团,且L表示单键或二价连接基团;或表示为以下通式(6):A3 An A4 (6)其中An表示取代的或未取代的蒽残基,且A3和A4各自独立地表示具有10 40个碳原子的取代的或未取代的单价稠合芳族环状基团,或没有稠合环状结构并具有12 40个碳原子的取代的或未取代的芳基,并表示相同的基团或不同的基团。
地址 日本东京