| 发明名称 | 半导体发光装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供一种减少了密封材料的裂缝的产生的半导体发光装置的制造方法。该方法的特征在于，包括：将相对于密封材料的干重为10重量％以上且50重量％以下的低分子硅烷类或硅烷醇类、以及含有烷氧基硅氧烷的醇溶液混合来配制混合溶液的第一工序，将混合溶液涂布在发光元件上的第二工序，对混合溶液中的醇溶液成分进行蒸发后干燥而成为密封材料的第三工序，使密封材料固化的第四工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101471414B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200810184728.9 | 申请日期 | 2008.12.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 铃木昭子;藤枝新悦;河野龙兴;高桥利英;大塚一昭;押尾博明;田村英男 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;C08G77/04(2006.01)I;C08L83/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包括：将相对于密封材料的干重为10重量％以上且50重量％以下的下述通式(1)表示的低分子硅烷类或下述通式(2)表示的硅烷醇类、以及含有烷氧基硅氧烷的醇溶液混合来配制混合溶液的第一工序，将所述混合溶液涂布在发光元件上的第二工序，对所述混合溶液中的所述醇溶液成分进行蒸发后干燥而成为所述密封材料的第三工序，使所述密封材料固化的第四工序；<img file="F2008101847289C00011.GIF" wi="773" he="334" />式(1)中，多个R<sub>1</sub>各自独立地表示甲基或乙基，R<sub>2</sub>表示碳原子数为1～20的烷基或表示也可以具有碳原子数为1～8的烃基的苯基；<img file="F2008101847289C00012.GIF" wi="851" he="366" />式(2)中，R<sub>3</sub>表示乙基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||