对包含锗和锑的材料的金属催化选择性沉积

摘要

提供一种用于在衬底表面上选择性沉积GeSb材料的化学气相沉积(CVD)方法，其中使用能够与锗形成共晶合金的金属来催化所述GeSb材料的生长。还提供一种结构，其包括位于衬底的预选区域上的GeSb材料。根据本发明，所述GeSb材料被夹在用于催化GeSb的生长的下金属层与在所述GeSb材料的生长期间形成的上表面金属层之间。

主权项

一种选择性地沉积包含锗和锑的材料(20)的方法，包括以下步骤：将衬底放置在化学气相沉积反应腔(52)中，所述衬底包括包含这样的金属的区域(14)，所述金属能够与锗形成共晶合金；将包括所述衬底的所述反应腔(52)抽空到小于0.1333Pa的基础压力；将所述衬底加热到低于400℃的温度；向所述反应腔(52)提供含锑前体和含锗前体；以及从所述前体将包含锗(Ge)和锑(Sb)的材料(20)沉积到所述衬底的包含所述金属的所述区域(14)上，其中在包含锗和锑的所述材料(20)的生长期间，所述金属的表面金属层(22)漂浮在包含锗和锑的所述材料(20)的表面上。