| 发明名称 | 用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除基底层表面的水；然后，一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在基底层上成膜非晶碳膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101908481A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN201010194793.7 | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 冈田充弘;东条行雄 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，其中，该方法包括下述工序：在反应室内以沿铅直方向隔开间隔地层叠的状态收容多张被处理体，各上述被处理体具有用于在表面形成上述含有非晶碳膜的构造的基底层；一边对上述反应室内进行排气一边进行预备处理，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到800℃～950℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选出的预备处理气体，从而去除上述基底层表面的水；一边对上述反应室内进行排气一边进行主CVD处理，该主CVD处理是指将上述反应室内的温度加热到主处理温度，并且向上述反应室内供给碳化氢气体，从而在上述基底层上成膜非晶碳膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||