发明名称 | 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法,该方法是在MEMS器件的金属化工艺中,在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层,然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势,因而Ti替代半导体材料,与贵金属层构成原电池,并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应,从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀,并保证了金属层与其它结构层的牢固结合。 | ||
申请公布号 | CN101905858A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
申请号 | CN201010235870.9 | 申请日期 | 2010.07.21 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨晋玲;解婧;刘云飞;杨富华 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法,其特征在于,该方法是在MEMS器件的金属化工艺中,在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层,然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |