发明名称 减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计
摘要 本发明揭示具有减少的图像伪影的成像装置。通过使穿过所述成像装置的IR辐射改变方向、吸收所述IR辐射或使所述IR辐射散射以避免光在衬底的背面上反射并累积在暗像素中,来减少所述成像装置中的所述图像伪影。
申请公布号 CN101268552B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200680034837.1 申请日期 2006.07.27
申请人 普廷数码影像控股公司 发明人 根纳季亚·A·阿格拉诺夫;伊戈尔·卡拉肖夫
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 王允方
主权项 一种成像器,其包括:半导体衬底,其具有第一表面和第二表面;以及像素传感器单元阵列,其包括形成于所述衬底的所述第一表面处的多个像素单元,所述像素单元包括成像像素单元和暗电流像素单元;其中在所述第二表面中形成有表面磨蚀,以用于减少从所述第二表面反射回所述暗电流像素单元的光的量。
地址 开曼群岛