发明名称 |
减少来自红外辐射的图像伪影的背面硅晶片设计 |
摘要 |
本发明揭示具有减少的图像伪影的成像装置。通过使穿过所述成像装置的IR辐射改变方向、吸收所述IR辐射或使所述IR辐射散射以避免光在衬底的背面上反射并累积在暗像素中,来减少所述成像装置中的所述图像伪影。 |
申请公布号 |
CN101268552B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200680034837.1 |
申请日期 |
2006.07.27 |
申请人 |
普廷数码影像控股公司 |
发明人 |
根纳季亚·A·阿格拉诺夫;伊戈尔·卡拉肖夫 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
王允方 |
主权项 |
一种成像器,其包括:半导体衬底,其具有第一表面和第二表面;以及像素传感器单元阵列,其包括形成于所述衬底的所述第一表面处的多个像素单元,所述像素单元包括成像像素单元和暗电流像素单元;其中在所述第二表面中形成有表面磨蚀,以用于减少从所述第二表面反射回所述暗电流像素单元的光的量。 |
地址 |
开曼群岛 |