| 发明名称 | 形成具有不对称电介质区域的半导体器件的方法及其结构 | ||
| 摘要 | 一种用于形成半导体器件(10)的方法，包括形成半导体衬底(2)；在该半导体衬底上形成具有第一侧面和第二侧面的栅电极(16)；在栅电极之下形成栅极电介质。该栅极电介质具有位于栅电极之下并邻近栅电极的第一侧面的第一区域(42)、位于栅电极之下并邻近栅电极的第二侧面的第二区域(44)、以及位于栅电极之下并介于第一区域和第二区域之间的第三区域(14)，其中第一区域比第二区域薄，第三区域比第一区域薄且比第二区域薄。 | ||
| 申请公布号 | CN101385133B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200680003369.1 | 申请日期 | 2006.02.01 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | L.·马修;V.·R.·克拉冈塔;D.·C.·辛格 |
| 分类号 | H01L21/425(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/425(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：形成半导体衬底；在该半导体衬底上形成具有第一侧面和第二侧面的栅电极；在栅电极之下形成栅极电介质，其中栅极电介质具有位于栅电极之下并邻近栅电极的第一侧面的第一区域、位于栅电极之下并邻近栅电极的第二侧面的第二区域、以及位于栅电极之下并介于第一区域和第二区域之间的第三区域；其中第一区域比第二区域薄，第三区域比第一区域薄且比第二区域薄。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||