| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 在半导体器件的制造方法中，在半导体衬底上形成多个结构，和在衬底的整个表面上方形成涂覆膜以覆盖该多个结构。形成光抗蚀剂层，以在该多个结构中目标结构的上方具有开口部分，和通过使用光抗蚀剂层作为掩模同时保持衬底处于覆盖有涂覆膜的状态，蚀刻开口侧的涂覆膜以暴露出一部分目标结构。而且，蚀刻作为目标结构的至少一部分的目标部分同时留下涂覆膜，并且去除光抗蚀剂层和涂覆膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101207008B | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200710160099.1 | 申请日期 | 2007.12.24 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 盛一正成;藤田雅人 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 钟强;谷惠敏 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成多个结构；在半导体衬底整个表面上形成涂覆膜，以覆盖所述多个结构；形成光抗蚀剂层以在所述多个结构的目标结构上方具有开口部分；通过使用光抗蚀剂层作为掩模同时保持衬底处于覆盖有涂覆膜的状态，来蚀刻开口侧上的涂覆膜，以暴露出目标结构的一部分；蚀刻作为目标结构至少一部分的目标部分，同时保留涂覆膜；和去除光抗蚀剂层和涂覆膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||