GaN基LED图形化透明导电薄膜的制作方法

摘要

本发明提供了一种GaN基LED图形化透明导电薄膜的制作方法，在GaN基LED的外延片上蒸发或沉积一层透明导电薄膜层，通过常规光刻掩膜腐蚀工艺在透明导电薄膜层上制作上孔洞，使透明导电薄膜层成为网状结构，所有孔洞所占面积为透明导电薄膜层表面积的5％-40％，每个孔洞的深度为透明导电薄膜层厚度的50％-100％，然后再按常规工艺对透明导电薄膜进行退火。本发明通过光刻腐蚀方法把透明导电薄膜制作成网状图形，在网状孔洞区域导电层可以很薄或没有导电层，既能起到欧姆接触导电的作用，又有效提高了出光效率。这样能够提高出光效率。本发明工艺简单，相对出光表面粗化工艺更容易控制，且工艺的一致性好，不会影响LED器件的电学性能。

主权项

一种GaN基LED图形化透明导电薄膜的制作方法，其特征是：在GaN基LED的外延片上蒸发或沉积一层透明导电薄膜层，通过常规光刻掩膜腐蚀工艺在透明导电薄膜层上制作上孔洞，使透明导电薄膜层成为网状结构，所有孔洞所占面积为透明导电薄膜层表面积的5％ 40％，每个孔洞的深度为透明导电薄膜层厚度的50％ 100％，然后再按常规工艺对透明导电薄膜进行退火。