| 发明名称 | 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法，整流器包括金属衬底、金属键合层和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底作为支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极和欧姆电极，氮化镓外延层通过金属键合层与金属衬底键合，氮化镓肖特基电极与欧姆电极相对金属衬底在外延层的另一侧呈横向分布，制备时把欧姆电极与肖特基接触电极先后制备在外延片的正面，之后再在另一面通过激光将蓝宝石衬底剥离，再与金属衬底键合。本发明可解决GaN肖特基整流器的金属化方案与蓝宝石衬底剥离的工艺兼容性问题，以高导热性金属衬底作为支撑载体及热沉，解决了器件的散热问题，可有效提高器件的性能和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101908511A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN201010237851.X | 申请日期 | 2010.07.27 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 陆海;石宏彪;张荣;郑有炓;张之野;朱廷刚 |
| 分类号 | H01L23/14(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器，其特征是包括金属衬底(301)、金属键合层(302)和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底(301)作为整个器件的支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片为横向结构，包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极(103)和欧姆电极(104)，氮化镓外延层由下至上包括缓冲层(102a)、重掺杂氮化镓欧姆接触层(102b)和轻掺杂氮化镓电压阻挡层(102c)，其中缓冲层(102a)通过金属键合层(302)与金属衬底(301)键合，氮化镓肖特基电极(103)与欧姆电极(104)相对金属衬底(302)在外延层的另一侧呈横向分布。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||