| 发明名称 | 用于生长碳化硅单晶的方法 | ||
| 摘要 | 一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过将C溶入到包含Si、Cr和X的熔体中来制备，X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成，使得熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且X的比例为1至25原子％，以及由所述溶液生长碳化硅单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN101910476A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200980102150.0 | 申请日期 | 2009.01.14 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 寺岛由纪夫;藤原靖幸 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过在石墨坩埚中加热和熔融Si并且将C从所述石墨坩埚溶入到包含Si的熔体中来制备，所述方法包括：通过将C溶入到包含Cr和X的所述熔体中来制备所述包含C的溶液，使得所述熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且所述熔体的总组成中X的比例为1至25原子％，其中X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成；和由所述溶液生长所述碳化硅单晶。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||