| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置具备：绝缘性基板；台阶层，其设置在绝缘性基板上并具备倾斜角为60°以上的端部；绝缘层，其形成在绝缘性基板和台阶层上并且设置成在台阶层上隆起；第1半导体层，其设置在隆起的绝缘层的相邻部；以及第2半导体层，其由与第1半导体层相同的材料构成，在隆起的绝缘层上形成岛状。 | ||
| 申请公布号 | CN101911267A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200880122617.3 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 中泽淳;木村知洋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 权鲜枝 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：绝缘性基板；台阶层，其设置在上述绝缘性基板上，具备倾斜角为60°以上的端部；绝缘层，其形成在上述绝缘性基板和台阶层上，并且设置成在该台阶层上隆起；第1半导体层，其设置在上述隆起的绝缘层的相邻部；以及第2半导体层，其由与上述第1半导体层相同的材料构成，在上述隆起的绝缘层上形成岛状。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||