| 发明名称 | 形成磁性隧道结结构的方法 | ||
| 摘要 | 在特定实施例中，揭示一种方法，其包含在衬底上形成包含传导层的磁性隧道结(MTJ)结构。所述方法还包含在沉积图案化膜层之前在所述传导层上沉积牺牲层。 | ||
| 申请公布号 | CN101911327A | 申请公布日期 | 2010.12.08 |
| 申请号 | CN200880123576.X | 申请日期 | 2008.11.20 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 李霞;升·H·康;朱晓春 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：在衬底上形成包含传导层的磁性隧道结(MTJ)结构；以及在沉积图案化膜层之前在所述传导层上沉积牺牲层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||