在基材上形成Sn-Ag-Cu三元合金薄膜的方法

摘要

本发明的形成Sn-Ag-Cu三元合金薄膜的方法是通过电镀形成所述Sn-Ag-Cu三元合金薄膜的方法，其特征在于，电镀液含有Sn化合物、Ag化合物、Cu化合物、无机系螯合剂和有机系螯合剂；该无机系螯合剂是聚合磷酸盐系螯合剂或者由以下化学式(I)表示的螯合剂的任一种；所述有机系螯合剂是卟啉类、二三甲基乙酰甲烷、酞菁类或者由以下化学式(II)表示的化合物的任一种。MFX(X-Y)-…(I)(上述化学式(I)中，M表示任意的金属，X表示任意的自然数，Y表示M的氧化数。)R—(CH2CH2O)n—A…(II)(上述化学式(II)中，R表示碳数8～30的烷基，A表示CH2COONa或者CH2SO4Na，n表示自然数)。

主权项

一种形成Sn Ag Cu三元合金薄膜的方法，是在基材上形成Sn Ag Cu三元合金薄膜的方法，其特征在于，所述方法是将所述基材浸渍在电镀液中、通过电镀在所述基材上全面或部分地形成所述Sn Ag Cu三元合金薄膜的方法；所述电镀液至少含有Sn化合物、Ag化合物、Cu化合物、无机系螯合剂和有机系螯合剂；该无机系螯合剂是聚合磷酸盐系螯合剂或者由以下化学式(I)表示的金属氟代络合物系螯合剂的任一种，相对于1质量份所述Ag化合物以1质量份以上、300质量份以下的比率配合；所述有机系螯合剂是卟啉类、二三甲基乙酰甲烷、酞菁类或者由以下化学式(II)表示的化合物的任一种，相对于1质量份所述Cu化合物以1质量份以上、200质量份以下的比率配合，MFX(X Y) (I)上述化学式(I)中，M表示任意的金属，X表示任意的自然数，Y表示M的氧化数，R (CH2CH2O)n A (II)上述化学式(II)中，R表示碳数8～30的烷基，A表示CH2COONa或者CH2SO4Na，n表示自然数。