金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法

摘要

本发明的一个实施例公开了一种金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，其表面形成有第一绝缘层；于第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构，其由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成；形成开口于堆叠绝缘结构中以暴露出第一绝缘层的一部分；执行湿蚀刻工艺以大量去除这些第二绝缘层，及小量去除这些第三绝缘层，由此在这些第二绝缘层中沿着开口侧壁形成多个横向凹槽；形成底部电极层，其沿着开口及横向凹槽的侧壁和底部延伸；形成电容绝缘层于底部电极层上；及形成顶部电极层于电容绝缘层上。本发明的优点包括可改善材料层的品质以及减少工艺时间。

主权项

一种金属 绝缘层 金属电容器的制造方法，包括：提供半导体衬底，其表面形成有第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构，其中所述堆叠绝缘结构由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成；在所述堆叠绝缘结构中形成开口以暴露出所述第一绝缘层的一部分；执行湿蚀刻工艺以去除所述多个第二绝缘层及所述多个第三绝缘层，其中所述湿蚀刻工艺对所述第二绝缘层的蚀刻率高于对所述第三绝缘层的蚀刻率，以在所述多个第二绝缘层中沿着所述开口侧壁形成多个横向凹槽；形成隔离层，所述隔离层由氧化物、氮氧化硅、氮化硅、或其结合构成且沿着所述横向凹槽和所述开口所暴露的表面延伸；在所述隔离层上形成底部电极层；在所述底部电极层上形成电容绝缘层；及在所述电容绝缘层上形成顶部电极层，其中所述电容绝缘层及顶部电极层填入所述横向凹槽，以在所述横向凹槽形成电容结构。