发明名称 一种用于半导体加工反应腔室的密封结构
摘要 本发明涉及一种用于半导体加工反应腔室的密封结构,包括相互连接并共同组成反应腔室的盖板、腔室侧壁和静电卡盘,在所述腔室侧壁与盖板和/或静电卡盘的连接处设有卡件,卡件上设有密封件,在所述腔室侧壁与盖板或静电卡盘的连接处还设有至少一处曲面连接部,所述曲面连接部和所述连接处之间呈0~90度角。由于本发明通过改变真空端密封面之间缝隙的形状,使得缝隙的长度得到加长,即:延长了化学气体及等离子体到密封圈的路径,从而降低了到达密封圈的化学气体及等离子体的量,同时曲折的形状大大增加了化学气体及等离子体通过的难度,从而延长了密封圈的寿命。
申请公布号 CN101515538B 申请公布日期 2010.12.08
申请号 CN200810057930.5 申请日期 2008.02.21
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 张风港
分类号 H01L21/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;B01J3/03(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人 王昭林;崔华
主权项 一种用于半导体加工反应腔室的密封结构,包括相互连接并共同组成反应腔室(10)的盖板(20)、腔室侧壁(2)和静电卡盘(60),在所述腔室侧壁(2)与盖板(20)和/或腔室侧壁(2)与静电卡盘(60)的两个连接处(30)设有卡件(3),卡件(3)上设有密封件(4),其特征在于:在所述腔室侧壁(2)与盖板(20)或静电卡盘(60)的连接处(30)还设有至少一处曲面连接部(5),所述曲面连接部(5)和所述连接处(30)之间的角度大于0度小于90度。
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