用于窄间隙隔离区的自对准沟槽填充

摘要

使用自对准沟槽填充来隔离高密度集成电路中的装置。于装置之间的衬底中形成深、窄沟槽隔离区。所述沟槽区包含两个沟槽部分。用沉积电介质填充定位于第二沟槽部分上的第一沟槽部分。用生长电介质填充所述第二沟槽部分。通过生长介电材料来填充所述下部沟槽部分实现了介电材料在所述下部部分内的均匀分布。通过沉积介电材料来填充所述上部沟槽部分实现了材料在所述上部部分中的均匀分布，同时(例如)还防止所述电介质侵入装置沟道区中。可通过在蚀刻形成于所述装置的所述衬底上的一个或一个以上层之后或作为所述蚀刻的一部分蚀刻所述衬底以形成所述沟槽区来制造装置。这可确保在沟槽隔离区之间的装置的栅极与沟道区的对准。

主权项

一种制造集成电路的方法，其包括：在衬底中在形成于所述衬底上的一层的第一部分与形成于所述衬底上的所述层的第二部分之间形成沟槽隔离区，所述形成包含在所述衬底中在所述层的所述第一与第二部分之间形成第一沟槽部分，以及在所述衬底中在所述层的所述第一与第二部分之间形成第二沟槽部分，在形成所述沟槽隔离区之前形成所述层的所述第一和第二部分；沉积第一介电材料以至少部分地填充所述第一沟槽部分；以及生长第二介电材料以至少部分地填充所述第二沟槽部分；其中：在形成所述第一沟槽部分之后形成所述第二沟槽部分；所述第一沟槽部分包含第一侧壁、第二侧壁和底部；且所述方法进一步包括，在形成所述第二沟槽部分之前：在所述第一侧壁上形成第一侧壁隔片，以及在所述第二侧壁上形成第二侧壁隔片；形成所述第二沟槽部分包含在所述第一沟槽部分的所述底部在所述第一侧壁隔片与所述第二侧壁隔片之间蚀刻所述衬底，以在所述第一沟槽部分下方形成所述第二沟槽部分；所述方法进一步包括：在所述层的所述第一部分的侧壁上形成第三侧壁隔片；以及在所述层的所述第二部分的侧壁上形成第四侧壁隔片；且其中形成所述第一沟槽部分包含在所述第三侧壁隔片与所述第四侧壁隔片之间蚀刻所述衬底以形成所述第一沟槽部分；其中：所述形成所述第一侧壁隔片包含在所述第一侧壁和所述第三侧壁隔片上形成所述第一侧壁隔片；以及所述形成所述第二侧壁隔片包含在所述第二侧壁和所述第四侧壁隔片上形成所述第二侧壁隔片；所述方法进一步包括：在生长所述第二介电材料以至少部分地填充所述第二沟槽部分之后且在沉积所述第一介电材料以至少部分地填充所述第一沟槽部分之前，去除所述第一侧壁隔片和第二侧壁隔片。