发光二极管芯片以及发光二极管芯片的制作方法

摘要

本发明提供一种发光二极管芯片以及发光二极管芯片的制作方法，其中制作方法包括在衬底材料上依次生成半导体发光结构，所述半导体发光结构包括缓冲层、N型化合物半导体材料、有源层和P型化合物半导体材料；绕各个发光二极管芯片边缘，距离边界一定距离的半导体发光结构上进行蚀刻至露出N型化合物半导体材料，形成平台区域，并将相邻发光二极管芯片之间的切割道处的半导体发光结构清除，切割道与所述平台区域之间间隔有半导体发光结构；分别在所述平台区域以及所述P型化合物半导体材料上制作N极打线盘和P极打线盘。本发明还提供了相应的发光二极管芯片。本发明实施例提供的发光二极管芯片，能够有效提高发光二极管的出光效率。

主权项

一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：在衬底材料上依次生成半导体发光结构，所述半导体发光结构包括缓冲层、N型化合物半导体材料、有源层和P型化合物半导体材料；绕各个发光二极管芯片边缘，距离边界一定距离的半导体发光结构上进行蚀刻至露出N型化合物半导体材料，形成平台区域，并将相邻发光二极管芯片之间的切割道处的半导体发光结构清除，所述切割道与所述平台区域之间间隔有半导体发光结构；分别在所述平台区域以及所述P型化合物半导体材料上制作N极打线盘和P极打线盘。