| 发明名称 | 防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法，其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火，形成欧姆接触，其特征在于，在淀积金属层的步骤前面，增加下述步骤：①氧化步骤：对SiC基体进行氧化，形成厚度≥的氧化层；②去除欧姆接触的区域上的氧化层。采用本发明有效防止在高温退火的过程中，熔化的金属层会发生一定的横向扩展；便于严格按照设计要求制备欧姆电极；减少了寄生参量，提高了SiC器件或电路的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101882575A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN201010207716.0 | 申请日期 | 2010.06.24 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 霍玉柱;潘宏菽;商庆杰;齐国虎 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 夏素霞 |
| 主权项 | 1.一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法，其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火，形成欧姆接触，其特征在于，在淀积金属层的步骤前面，增加下述步骤：①氧化步骤：对SiC基体的上表面及其相邻侧壁进行氧化，形成厚度1000～<img file="FSA00000174788800011.GIF" wi="144" he="53" />的氧化层；②去除欧姆接触的区域上的氧化层。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||