| 发明名称 | 一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法，该肖特基二极管包含基片、半导体层(17)、金属氧化物半导体栅介电质(11)、阻障层(31)、金属氧化物半导体栅极(14)，以及内连线(51)，其中金属氧化物半导体栅介电质(11)、阻障层(31)与内连线(51)从下至上顺序排列，阻障层(31)存在于金属氧化物半导体栅介电质(11)与内连线(51)的夹层中，半导体层(17)与内连线(51)直接接触，中间不存在阻障层(31)。该肖特基二极管及其制造方法能够满足金属氧化物半导体工艺的需求，并适用于亚微米集成电路的集成生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101506988B | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200680055418.6 | 申请日期 | 2006.08.18 |
| 申请人 | 和舰科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 李家声;李召兵;施晓东;陈斌 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L27/095(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 张春媛 |
| 主权项 | 一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管，包含基片，半导体层，金属氧化物半导体栅介电质，阻障层，金属氧化物半导体栅，以及内连线材质；上述金属氧化物半导体栅介电质、上述阻障层与上述内连线材质依从下至上的顺序排列；上述阻障层存在于上述金属氧化物半导体栅介电质同上述内连线材质的夹层中；上述半导体层与上述内连线材质在肖特基二极管的连接区域直接接触，中间不存在阻障层；上述金属氧化物半导体栅与上述内连线材质相接触。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||