一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法

摘要

一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法，包括：在沉积有牺牲层(22)的基材(21)上刻蚀出图案，接着填充金属铜；进行化学机械抛光后除去牺牲层，形成金属铜头(23)；沉积金属间绝缘介质(24，25，26，27，28)；定义刻蚀区，对上述金属间绝缘介质(24，25，26，27，28)进行刻蚀，形成无边导通孔。将自对准氮化硅覆层方法用于无边导通孔铜工艺并解决了在氮化硅帽盖打开时金属铜沿氮化硅帽盖、低介电常数材料及微沟槽挤出的问题。对于对准的导通孔，金属铜头上方应力点会远离导通孔底端拐角，利于界面剥离并解决了界面的弱点电阻率问题；对于未对准的导通孔，接邻金属的刻蚀终止层形成覆层用于阻挡通过低介电常数材料的刻蚀。

主权项

一种用于铜工艺无边通孔的自对准氮化硅覆层方法，其特征在于包括：步骤1：在沉积有牺牲层的基材上刻蚀出图案，接着填充金属铜；步骤2：进行化学机械抛光后除去牺牲层，形成金属铜头；步骤3：沉积金属间绝缘介质；步骤4：定义刻蚀孔区，对上述金属间绝缘介质进行刻蚀，形成无边导通孔。