驱动桥接的功率晶体管的半导体装置

摘要

半导体装置(HVIC)包含形成于半导体衬底(29)的低电位侧电路(1)、高电位侧电路(2)、假想接地电位焊盘(11)、共同接地电位焊盘(6)及二极管(D3)。低电位侧电路(1)驱动低电位侧功率晶体管(Q1)。高电位侧电路(2)设于高电位区域(HVLR)，驱动高电位侧功率晶体管(Q2)。假想接地电位焊盘(11)，配置在高电位区域(HVLR)，与两功率晶体管(Q2，Q1)的连接节点(PA)耦合，对高电位侧电路(2)供给假想接地电位。共同接地电位焊盘(6)对低电位侧电路(1)及高电位侧电路(2)供给共同的接地电位。二极管的负极与假想接地电位焊盘(11)连接，正极与共同接地电位焊盘(6)连接。

主权项

一种半导体装置(HVIC)，驱动高电位侧及低电位侧功率器件(Q2、Q1)，其中包括：低电位侧电路(1)，设于形成在半导体衬底区域(29)上的低电位区域(77)，该低电位侧电路(1)驱动所述低电位侧功率器件(Q1)；高电位侧电路(2)，设于形成在所述半导体衬底区域(29)上的高电位区域(HVLR、76)，该高电位侧电路(2)被施加高电压而驱动所述高电位侧功率器件(Q2)；假想接地电位焊盘(11)，配置在所述高电位区域，耦合至所述高电位侧及低电位侧功率器件(Q2、Q1)的连接节点(PA)，该假想接地电位焊盘(11)对所述高电位侧电路(2)供给假想接地电位；共同接地电位焊盘(6)，对所述低电位侧电路(1)及高电位侧电路(2)共同供给接地电位；以及高耐压二极管(D3)，形成在所述半导体衬底区域(29)上，该高耐压二极管(D3)的负极电连接至所述假想接地电位焊盘(11)，而正极电连接至所述共同接地电位焊盘(6)。