阻挡层的去除方法和装置

摘要

本发明涉及半导体制造铜互连的无应力电化学抛光工艺、无应力抛光过程中形成的钽或钛的氧化物薄膜去除工艺和二氟化氙气相刻蚀阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛工艺的整合方法和装置。首先，至少一部分硅片上镀的铜被无应力电化学抛光去除；其次，去除铜抛光过程中阻挡层表面形成的钽或钛的氧化物薄膜；最后，用二氟化氙气相刻蚀把阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛去除。该装置由三个子系统组成：无应力电化学铜抛光系统、用刻蚀剂去除阻挡层表面钽或钛的氧化物的系统和去除阻挡层的二氟化氙气相刻蚀系统。

主权项

一种加工半导体结构的方法，其中半导体结构包括基底、电介质层、位于介质层上的阻挡层、阻挡层上的金属层，并且该结构具有图案，金属层填充在图案内，该加工方法包括：用无应力的电化学抛光方法去除阻挡层上面的金属层；去除金属电化学抛光过程中阻挡层表面产生的氧化物薄膜层；用二氟化氙气相刻蚀法去除阻挡层，把图案结构彻底分隔开。