| 发明名称 | 磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置。所述磁阻元件包括：从包含锰的层形成的反铁磁性层；包含位于反铁磁性层的一侧之上并从包含铁磁性材料和铂族金属的层形成的第一磁化固定层、从包含铁磁性材料的层形成的第二磁化固定层、以及位于第一磁化固定层和第二磁化固定层之间的第一非磁性中间层的分层的磁化固定层；从包含铁磁性材料的层形成的磁性自由层；以及位于分层的磁化固定层和磁性自由层之间的第二非磁性中间层。 | ||
| 申请公布号 | CN101304070B | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200810095658.X | 申请日期 | 2008.05.07 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 恒川孝二;D·D·贾雅帕瓦拉 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I;H01F41/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 一种磁阻元件，包括：从包含锰的层形成的反铁磁性层；分层的磁化固定层，其包含位于所述反铁磁性层的一侧之上并从由以下通式A中所限定的合金构成的层形成的第一磁化固定层、从包含铁磁性材料的层形成且包含以下通式B中所限定的合金的第二磁化固定层、以及位于所述第一磁化固定层和所述第二磁化固定层之间的第一非磁性中间层；从包含铁磁性材料的层形成的磁性自由层；和位于所述分层的磁化固定层和所述磁性自由层之间的第二非磁性中间层，其中所述通式A为：(FeaCobNic)d(M)e这里，0≤a＜100，0≤b＜100，0≤c＜100，a+b+c＝100，50≤d≤99.5，0.5≤e≤50，d+e＝100，M表示铂族金属，其中所述通式B为：(FexCoyNiz)m(B)n这里，0≤x＜100，0≤y＜100，0≤z＜100，x+y+z＝100，m+n＝100，0≤n＜30，70＜m≤100，并且其中所述铂族金属M为选自由铂Pt、铱Ir、锇Os、钯Pd、铑Rh和钌Ru构成的组的至少一种金属。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||