制造半导体器件的方法

摘要

用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体基片中形成栅沟道；在栅沟道的内壁中形成栅绝缘膜；至少向栅沟道内填充栅极材料；通过构图栅极材料形成栅极；和在与栅沟道相邻的半导体基片的规定位置使用掩模，在构图栅极材料前选择地形成穿通制止区。形成穿通制止区的步骤可在向栅沟道填充栅极材料步骤后或在形成栅沟道步骤前进行。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(1)在半导体基片中形成栅沟道；(2)在所述栅沟道的内壁中形成栅绝缘膜；(3)至少向所述栅沟道内填充栅极材料；(4)在所述半导体基片中形成第一源/漏区；(5)通过构图所述栅极材料形成栅极；(6)在所述半导体基片中形成第二源/漏区，使得所述栅沟道夹在所述第一源/漏区和所述第二源/漏区之间；和(7)在构图所述栅极材料之前，使用下述掩模，选择地形成穿通制止区，所述掩模包括在半导体基片的、要形成所述第一源/漏区的区之上的开口并且覆盖所述半导体基片的、要形成所述第二源/漏区的区，其中，上述(1)至(7)的执行顺序为(7)，(4)，(1)，(2)，(3)，(5)和(6)，或者上述(1)至(7)的执行顺序为(1)，(2)，(3)，(7)，(4)，(5)和(6)。