Ⅲ族氮化物半导体发光器件

摘要

本发明涉及一种Ⅲ族氮化物半导体发光器件，所述Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：多个Ⅲ族氮化物半导体层，其中设有通过电子和空穴的复合而发光的有源层；和设置有从所述p侧焊盘向所述n侧电极延伸的臂部和从所述臂部向所述n侧电极分叉的两个指状物的支电极。

主权项

一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：衬底；在所述衬底上外延生长的缓冲层；在所述缓冲层上外延生长的n型氮化物半导体层；在所述n型氮化物半导体层上外延生长的有源层；在所述有源层上外延生长的p型氮化物半导体层；在所述p型氮化物半导体层上形成的p侧电极；在通过刻蚀所述p型氮化物半导体层和所述有源层而暴露的所述n型氮化物半导体层上形成的n侧电极，所述n侧电极用于电流供应和外部接线；与所述p侧电极电接触的p侧焊盘；和设置有从所述p侧焊盘向所述n侧电极延伸的臂部和从所述臂部向所述n侧电极分叉的两个指状物的支电极，其中，所述发光器件为具有长边和短边的矩形，而所述臂部沿所述长边向所述n侧电极延伸，并且所述两个指状物形成为与所述n侧电极有间隔并且围绕所述n侧电极。