| 发明名称 | 降低连接孔接触电阻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低连接孔接触电阻的方法，该方法包括在绝缘层和金属互连线之间制作阻挡膜，所述阻挡膜为钽Ta和氮化钽TaN的叠层结构，所述制作阻挡膜的具体方法为：在绝缘层的沟槽和连接孔的底部和侧壁上形成TaN层(201)；在所述TaN层(201)上形成Ta层(202)；依次刻蚀连接孔底部上的Ta层(202)和TaN层(201)，形成开口，露出下层的铜互连线；在沟槽及连接孔内的Ta层和露出的下层的铜互连线表面，沉积TaN层(401)；在TaN层(401)的表面沉积Ta层(402)。采用该方法使连接孔的接触电阻比较低，从而有效降低了整个电路的RC延迟，提高了电路的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101882597A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200910083466.1 | 申请日期 | 2009.05.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种降低连接孔接触电阻的方法，该方法包括在绝缘层和金属互连线之间制作阻挡膜，所述阻挡膜为钽Ta和氮化钽TaN的叠层结构，其特征在于，所述制作阻挡膜的具体方法为：在绝缘层的沟槽和连接孔的底部和侧壁上形成TaN层(201)；在所述TaN层(201)上形成Ta层(202)；依次刻蚀连接孔底部上的Ta层(202)和TaN层(201)，形成开口，露出下层的铜互连线；在沟槽及连接孔内的Ta层和露出的下层的铜互连线表面，沉积TaN层(401)；在TaN层(401)的表面沉积Ta层(402)。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||