| 发明名称 | 半导体激光元件 | ||
| 摘要 | 一种能够提高激光元件的可靠性的半导体激光元件。上述半导体激光元件(1000)具备：具有发光层(25)的半导体元件层(20)；在半导体元件层的包含发光层的区域的光射出侧的端部形成的第一共振器端面(1)；在第一共振器端面上，从第一共振器端面侧开始依次形成第一氮化膜(41)、含有第一氧化膜(42)的第一中间膜和第二氮化膜(43)而成的第一绝缘膜(40)；在第一绝缘膜上形成的含有第二氧化膜(51)的第二绝缘膜(51)。 | ||
| 申请公布号 | CN101884148A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200980101177.8 | 申请日期 | 2009.02.09 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 龟山真吾;村山佳树 |
| 分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;刘春成 |
| 主权项 | 一种半导体激光元件，具备：具有发光层的半导体元件层；在所述半导体元件层的包含所述发光层的区域的光射出侧的端部形成的第一共振器端面；在所述第一共振器端面上，从所述第一共振器端面侧开始依次形成第一氮化膜、包含第一氧化膜和第一氮氧化膜中至少之一的第一中间膜、第二氮化膜而成的第一绝缘膜；和在所述第一绝缘膜上形成的、包含第二氧化膜和第二氮氧化膜中至少之一的第二绝缘膜，在所述发光层发出的激光的波长为λ，所述第一氮化膜的折射率、所述第一中间膜的平均折射率和所述第二氮化膜的折射率分别为n1、n2和n3的情况下，所述第一氮化膜的厚度t1、所述第一中间膜的厚度t2和所述第二氮化膜的厚度t3被分别设定为t1＜λ/(4×n1)、t2＜λ/(4×n2)和t3＜λ/(4×n3)。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||