发明名称 多功能离子束溅射设备
摘要 本发明公开了一种多功能离子束溅射设备,包括:一真空腔室;一溅射工件台,设置于该真空腔室的顶部正中位置,其下表面与水平面平行;二溅射靶台,设置于该真空腔室的下部,左右对称于该溅射工件台的中垂线所在方向;二溅射离子源,设置于该真空腔室的中部,左右对称于该溅射工件台的中垂线所在方向,发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角;一辅助清洗离子源,设置于该真空腔室的中部,发射的离子束与该溅射工件台下表面成30°角。该设备兼备各种功能,可用于高质量多层超薄介质和金属薄膜材料的溅射沉积、刻蚀、抛光减薄和热处理。
申请公布号 CN101880862A 申请公布日期 2010.11.10
申请号 CN200910083499.6 申请日期 2009.05.06
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 龙世兵;刘明;陈宝钦;谢常青;贾锐;徐连生
分类号 C23C14/46(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I 主分类号 C23C14/46(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种多功能离子束溅射设备,其特征在于,该设备包括:一真空腔室;一溅射工件台,用于装载基片,设置于该真空腔室的顶部正中位置,其下表面与水平面平行;二溅射靶台,设置于该真空腔室的下部,左右对称于该溅射工件台的中垂线所在方向,用于装载靶材;二溅射离子源,设置于该真空腔室的中部,左右对称于该溅射工件台的中垂线所在方向,采用射频离子源或直流离子源发射离子源,发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角;一辅助清洗离子源,设置于该真空腔室的中部,用于基片的清洗或溅射过程中的辅助轰击,采用射频离子源或直流离子源,辅助清洗离子源斜向上发射离子束,并且发射的离子束与该溅射工件台下表面成30°角。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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