| 发明名称 | 非直线锥形倒锥耦合器结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一硅衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上，该埋氧层的材料为二氧化硅；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合器，其中该倒锥耦合器为渐变的指数型或二次方型结构，该倒锥耦合器的工作波长为1500nm到1600nm，其插入损耗的波动小于0.3dB。 | ||
| 申请公布号 | CN101881861A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN201010207340.3 | 申请日期 | 2010.06.13 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 任光辉;陈少武 |
| 分类号 | G02B6/26(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合器。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||