| 发明名称 | 提高电荷存储层表面均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高电荷存储层表面均匀性的方法，该方法包括：在半导体衬底的电荷存储区和外围电路区上形成电荷存储层结构；清除所述外围电路区上的电荷存储层结构，所述清除之后所述电荷存储层结构在外围电路区上有残留；在电荷存储区的电荷存储层结构上形成保护层；预清洗外围电路区上残留的电荷存储层结构；去除所述保护层。采用该方法有效地提高了电荷存储层结构的均匀性，进一步提高了器件的电学特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101882581A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200910083468.0 | 申请日期 | 2009.05.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 徐美玲;韩永召;陈自凡;蔡信裕 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种提高电荷存储层表面均匀性的方法，该方法包括：在半导体衬底的电荷存储区和外围电路区上形成电荷存储层结构；清除所述外围电路区上的电荷存储层结构，所述清除之后所述电荷存储层结构在外围电路区上有残留；在电荷存储区的电荷存储层结构上形成保护层；预清洗外围电路区上残留的电荷存储层结构；去除所述保护层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||