发明名称 |
使用有机电介质的有机场效应晶体管 |
摘要 |
本发明提供制造有机场效应装置的方法,该方法包括如下步骤:a)从溶液中沉积一层有机半导体层;b)从溶液中沉积一层形成栅极绝缘体的至少一部分的低介电常数绝缘材料,使低介电常数绝缘材料与有机半导体层接触,低介电常数绝缘材料的相对介电常数为1.1至3.0以下。另外也提供了用此方法制造的有机场效应装置。 |
申请公布号 |
CN1698217B |
申请公布日期 |
2010.11.10 |
申请号 |
CN02828191.8 |
申请日期 |
2002.11.21 |
申请人 |
默克专利股份公司 |
发明人 |
S·W·李明;S·莫希亚尔丁-哈法夫;S·D·奥吉尔;J·弗雷斯 |
分类号 |
H01L51/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/20(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
卢新华;马崇德 |
主权项 |
一种制造有机场效应装置的方法,该方法包括如下步骤:a)从溶液中沉积一层有机半导体层;和b)从溶液中沉积一层形成栅极绝缘体的至少一部分的低介电常数绝缘材料,以致使所述低介电常数绝缘材料与所述有机半导体层接触,其中低介电常数绝缘材料的相对介电常数为1.1至低于3.0,并且其中所述有机场效应装置的整个制造过程能够于100℃或低于100℃进行。 |
地址 |
德国达姆施塔特 |