| 发明名称 | 藉由使用包含具有高共价半径的原子的嵌入半导体层的用于硅基晶体管中工程应变的技术 | ||
| 摘要 | 藉由引入具增大共价半径(covalent radius)的原子种类(atomicspecies)，该原子种类可至少部分取代锗，可提供高效率应变机制，在该机制中因锗聚集(conglomeration)与晶格缺陷所引起的应力释放的风险可降低。具有增大半径的原子种类，例如锡，可利用基于氢化锡的外延生长技术来容易引入。 | ||
| 申请公布号 | CN101300664B | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200680040454.5 | 申请日期 | 2006.10.23 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | C·施特雷克;V·卡勒特;A·汉克 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种形成应变半导体层的方法，包括：形成具有第一结晶结构的第一结晶半导体层(102，202，302)，该第一结晶结构的特征在于具有第一晶格间隙；以及在该第一结晶半导体层(102，202，302)上方形成第二结晶半导体层(104，236，336)，该第二结晶半导体层(104，236，336)包括硅与至少一种具有共价半径大于锗的共价半径的其他原子种类，并通过选择性外延生长工艺外延生长所述的硅与所述的至少一种其他原子种类，该第二结晶半导体层(104，236，336)包含第二结晶结构，该第二结晶结构包括应变区(110，235，335)，该应变区(110，235，335)具有由该第一晶格间隙和该第二结晶结构的自然晶格间隙之间的不匹配而产生的压缩应变(107，207，307)。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||