一种多位铁电存储器及其电压施加方法

摘要

本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。

主权项

一种多位铁电存储器，含有硅衬底，其特征在于，所述硅衬底上有第一金属电极薄膜材料、台阶状铁电薄膜材料和第二金属电极薄膜材料，通过构建凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，来实现在单个铁电存储单元中存储多位数据的多位存储功能，其包括：(1)在硅衬底上淀积第一金属电极薄膜材料；(2)在第一金属电极上制备一层凹凸有致具有不同厚度的台阶状铁电薄膜材料；(3)在铁电薄膜上淀积第二金属电极薄膜材料。