相变存储器件及其制造方法

摘要

本发明揭露了一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件包括：形成有晶体管的半导体基底；位于半导体基底上的中间绝缘层；贯穿所述中间绝缘层并与晶体管连接的插塞；位于中间绝缘层上的第一绝缘层；贯穿第一绝缘层并且与插塞电连接的底部电极和第一相变层，其中底部电极位于插塞和第一相变层之间，底部电极的截面宽度小于插塞的截面宽度；依次位于第一绝缘层上的刻蚀阻挡层和第二绝缘层；贯穿刻蚀阻挡层和第二绝缘层并且与第一相变层电连接的第二相变层，其中第二相变层的截面宽度大于第一相变层的截面宽度。本发明可降低操作电流，减小功耗，提高相变存储器件的成品率和可靠性。

主权项

一种相变存储器件，包括：形成有晶体管的半导体基底；位于所述半导体基底上的中间绝缘层；贯穿所述中间绝缘层并与所述晶体管连接的插塞；位于所述中间绝缘层上的第一绝缘层；贯穿所述第一绝缘层并与插塞电连接的底部电极和第一相变层，其中底部电极位于插塞和第一相变层之间，底部电极的截面宽度小于插塞的截面宽度；依次位于所述第一绝缘层上的刻蚀阻挡层和第二绝缘层；贯穿所述刻蚀阻挡层和第二绝缘层并且与所述第一相变层电连接的第二相变层，其中第二相变层的截面宽度大于第一相变层的截面宽度。