| 发明名称 | 集成电路器件 | ||
| 摘要 | 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101452931B | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200810189692.3 | 申请日期 | 2005.01.17 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社;日本电气株式会社 | 发明人 | 大洼宏明;菊田邦子;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：绝缘层；形成在所述绝缘层内的插头；与所述插头电连接的温度监视部件；与所述温度监视部件电连接的电阻元件；介于所述插头和所述温度监视部件之间的衬垫，其中所述温度监视部件由氧化钒制成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||