发明名称 | 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 | ||
摘要 | 一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料,其特征在于,所述材料是基于应变自组织的量子点材料,其结构包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层,该砷化镓缓冲层制作在衬底上;一多周期量子点层,该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上;一砷化镓盖层,该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。 | ||
申请公布号 | CN101113328B | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
申请号 | CN200610088947.8 | 申请日期 | 2006.07.27 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘宁;金鹏;王占国 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料,其特征在于,所述材料是基于应变自组织的量子点材料,其结构包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层,该砷化镓缓冲层制作在砷化镓衬底上,且该砷化镓缓冲层表面起伏在1-2个单分子层范围内;一多周期量子点层,该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上,其中多周期量子点层包括:三至十个周期砷化铟量子点,每个周期砷化铟量子点的沉积厚度为2-3单分子层;二至九个周期砷化镓间隔层,每个周期砷化镓间隔层制备在其下面一周期砷化铟量子点上及其上面一周期砷化铟量子点下,每个周期中砷化镓间隔层的厚度为5纳米至20纳米;一砷化镓盖层,该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上;采用上述结构得到的砷化铟/砷化镓量子点材料,其室温发光波长为1.3μm。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |