| 发明名称 | 光电子半导体芯片 | ||
| 摘要 | 提供一种具有半导体层序列(2)的光电子半导体芯片(1)，该半导体层序列(2)包括适于产生辐射的有源区(3)并具有横向主延伸方向，其中，半导体层序列通过具有侧表面(17)的衬底(4)来布置，该侧表面具有相对于主延伸方向成斜角的侧表面区域(18)和/或切口(21)，并且，半导体芯片具有辐射透射性并且导电的接触层(5)。 | ||
| 申请公布号 | CN101395725B | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN200680053614.X | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 迈克尔·费雷尔;乌韦·施特劳斯 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;刘继富 |
| 主权项 | 一种具有半导体层序列(2)的光电子半导体芯片(1)，所述半导体层序列(2)包含适于产生辐射的有源区(3)并具有横向主延伸方向，其中所述半导体层序列通过具有侧表面(17)的衬底(4)来布置，所述侧表面具有相对于所述主延伸方向成斜角的侧表面区域(18)和/或切口(21)，和所述半导体芯片具有辐射透射性的导电接触层(5)，其中邻接所述接触层(5)的连接层布置在所述半导体层序列中，并具有掺杂剂浓度，该掺杂剂在所述接触层(5)的一部分上的浓度比在所述有源区(3)的一部分上的浓度更大。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||