一种制备倒梯形光刻胶截面的方法

摘要

一种制备倒梯形光刻胶截面的方法，涉及微电子与光电子器件领域。它解决了现有图像反转法制备工艺复杂、重复性差，并且难于控制的问题，本发明方法为：采用匀胶机在衬底片表面旋涂光刻胶，匀胶机的转速为：1000r/min-6000r/min；采用普通烤箱进行前烘，然后采用曝光机将带有图形的光刻板与所述衬底片表面的光刻胶进行接触曝光；继续采用普通的烤箱进行烘烤，烘烤温度为115℃-130℃，烘烤时间为3min-10min，采用曝光机对烘烤后的衬底片进行泛曝光，采用显影液对衬底片进行显影，获得倒梯形的光刻胶截面。本发明的制备方法重复性好，简便易行，适用于器件制备剥离工艺中采用光刻技术对器件图形转移的技术。

主权项

一种制备倒梯形光刻胶截面的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、采用匀胶机在衬底片(1)表面旋涂光刻胶(2)，所述光刻胶(2)的型号为AZ5214，所述匀胶机的转速为：1000r/min-6000r/min；步骤二、对步骤一所述的衬底片(1)采用普通烤箱进行前烘，然后采用曝光机将带有图形的光刻板(3)与所述衬底片(1)表面的光刻胶(2)进行接触曝光；获得曝光后的衬底片(1)；步骤三、对步骤二获得的衬底片(1)采用普通的烤箱进行烘烤，烘烤温度为115℃-130℃，烘烤时间为3min-10min，获得烘烤后的衬底片(1)；步骤四、采用曝光机对步骤三获得的烘烤后的衬底片(1)进行泛曝光，获得曝光后的衬底片(1)；步骤五、采用显影液对步骤四获得的衬底片(1)进行显影，获得倒梯形的光刻胶截面。